Память оперативная Samsung. Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 2666, 1.2V M471A1K43DB1-CTD

Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 2666, 1.2V

• Форм-фактор: SO-DIMM
• Частота: 2666
• Тип памяти: DDR4
• Общий объем: 8
• Объем одного модуля: 8
• Количество модулей в комплекте: 1
• Пропускная способность: PC4-21300
• CAS Latency (CL): 19
• RAS to CAS Delay (tRCD) : 19
• Row Precharge Delay (tRP): 19
• Радиатор: Нет
• Подсветка: Нет
• Низкопрофильная: Нет