+7 (3452) 68-48-48
Умные решения для Вашего бизнеса
Ваша корзина
пуста
Перейти в корзину

Память оперативная Samsung. Samsung DDR4 4GB UNB SODIMM 2666, 1.2V M471A5244CB0-CTD

Samsung DDR4 4GB UNB SODIMM 2666, 1.2V

Samsung DDR4 4GB UNB SODIMM 2666, 1.2V

  • Форм-фактор: SO-DIMM
  • Тип памяти: DDR4
  • Общий объем: 4
  • Объем одного модуля: 4
  • Количество модулей в комплекте: 1
  • Частота: 2666
  • Пропускная способность: PC4-21300
  • CAS Latency (CL): 17
  • RAS to CAS Delay (tRCD) : 17
  • Row Precharge Delay (tRP): 17
  • Радиатор: Нет
  • Подсветка: Нет
  • Низкопрофильная: Нет

Характеристики

Артикул M471A5244CB0-CTD


  • Задать вопрос
  • Отзывы
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.


* — Обязательно для заполнения
Отзывов пока никто не оставил. Вы будете первым.